IRFS11N50A, SiHFS11N50A
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V DS
Vishay Siliconix
R D
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
15 V
t p
V DS
V DS
L
Driver
- V DD
R g
20 V
t p
D.U.T.
I AS
0.01 Ω
+
A
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
S13-1927-Rev. E, 09-Sep-13
5
Document Number: 91286
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